作者：周雅,蒋利民,袁永瑞,梁桂 单位：机械院武汉材料保护研究所;中国腐蚀与防护学会;中国表面工程协会 出版：《材料保护》2005年第03期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCLBH2005030000 DOC编号：DOCCLBH2005030009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 研究了镀膜光纤传感器ZnO压电薄膜电沉积的晶体结构的影响因素及沉积机理。试验表明，利用Zn(NO3 )2单盐水溶液体系可在铜基上进行阴极电沉积直接得到氧化锌膜。试验研究了电沉积过程中电流密度、沉积温度、Zn2+浓度、pH值及沉积时间对氧化锌膜结构的影响，提出了一套稳定、实用、经济的电沉积工艺参数为：电流密度 4. 5~7. 0mA/cm2，温度 50~60℃，反应时间 10~20min，Zn2+浓度 0. 10~0. 20mol/L，pH值 2. 0~3. 0。通过循环伏安曲线对沉积反应进行了分析，考察了结晶组成和晶体结构及晶粒尺寸。研究表明，搅拌对沉积影响不大。在最佳工艺条件下沉积得到的ZnO薄膜厚度为 2. 8~3. 2μm，薄膜晶粒尺寸为 0. 529 40nm。

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