作者:陆生礼,柯导明,陈军宁,孟坚,朱德智 单位:中国电子学会 出版:《电子学报》2005年第05期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZXU2005050300 DOC编号:DOCDZXU2005050309 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本文用摄动法求解了横向压阻效应四端硅压力传感器输出电压的两维偏微分方程,导出了器件的输出电压与器件尺寸的关系;证明了随应力而变的输出电压最大值在器件横向L/2处,并给出了最大输出电压的解析表达式.这些解析公式得到的计算结果,都和数值解、实验数据相符合,说明了得到的公式具有高的精度.用所给的解析表达式可以很方便地进行器件设计和模拟。

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