作者:张新,高勇,安涛,王彩琳 单位:西安理工大学 出版:《西安理工大学学报》2005年第03期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFXALD2005030030 DOC编号:DOCXALD2005030039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 分析了高灵敏度光电位置传感器(PSD)的设计和工艺制作过程,给出了器件制作工艺流程。对制作的器件进行了参数测试,测试结果为:响应波长为600~1200 nm,峰值响应波长为760 nm,位置分辨能力为5μm,位置探测误差为±50μm,暗电流为1.4×10-10A(VR=-5 V),峰值灵敏度为0.8634A/W。同时为提高器件的响应速度,提出了基于SOI技术的PSD器件结构。

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