作者:周国祥,柯导明,陈军宁,徐海卫 单位:中国科学技术大学 出版:《中国科学技术大学学报》2005年第05期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFZKJD2005050090 DOC编号:DOCZKJD2005050099 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 用摄动法求解了硅横向压阻效应四端器件的偏微分方程.用渐近解的分析方法对所求到的解进行简化,导出了硅横向压阻效应四端压力传感器的输出电压表达式.所得公式能够定量表达输出电压与输入参量和器件几何参数的关系,所得到结果与数值解和实验结果吻合。

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