作者：张为,姚素英,张生才,张维新 单位：哈尔滨工业大学 出版：《哈尔滨工业大学学报》2005年第06期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHEBX2005060390 DOC编号：DOCHEBX2005060399 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研究了半导体压阻式压力传感器制作中的关键工艺———硅各向异性腐蚀.采用两种腐蚀液：m(TMAH)∶V(H2O)=50g∶50ml和m(KOH)∶V(IPA)∶V(H2O)=50g∶15ml∶35ml，在80～85℃腐蚀，均获得了较为理想的效果.制作的1MPa多晶硅压力传感器的输出线性度、迟滞和重复性分别约为0.06%、0.02%和0.02%。

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