作者：章安良,朱大中 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》2005年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG2005010030 DOC编号：DOCYDSG2005010039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 报道了在128&#176；Y切割X传播方向的LiNbO3基片上设计并研制的中心频率为122MHz的S型双声路质量传感器，它能有效地克服环境温度的影响。阐述了该传感器的器件结构及设计，并采用延迟线振荡的方式对器件的性能进行测试。测试结果表明，该器件相对温度系数良好，仅约为10Hz/&#176；C。器件的质量沉积效应灵敏度约为3.8GHz&#183；cm2/g。

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