作者：张为,姚素英,张生才,张维新 单位：天津大学 出版：《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》2005年第10期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFTJDX2005100120 DOC编号：DOCTJDX2005100129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 根据有限元工具ANSYS的分析结果，设计了一种半导体压阻式压力传感器——绝缘体上硅(SOI)压力传感器，并完成了制作.测试表明，除具有良好的静态特性之外，与同类压力传感器相比，SOI压力传感器的工作温区宽，最高工作温度可达220℃；稳定性高，30d内的零点漂移小于0.2%；温度特性好，灵敏度温度系数约为-5.1&#215；10-4/℃.此外传感器的结构简单，采用半导体集成电路平面工艺结合微机械加工技术制作，易于实现批量生产，有广阔的应用前景。

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