《气体传感器材料——In_2O_3纳米线的制备与表征》PDF+DOC
作者:梁凯,王大伟,奚长生,彭翠红,龙来寿
单位:中国硅酸盐学会;中材人工晶体研究院
出版:《硅酸盐通报》2005年第06期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGSYT2005060010
DOC编号:DOCGSYT2005060019
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采用物理气相沉积法,以纯铟粒为原料,在980℃下Si(100)基片上通过改变气流成分制备了一系列氧化铟纳米线,并采用扫描电子显微镜、X射线衍射和透射电子显微镜对其形貌和结构进行了表征。试验表明,随着氩气中氢气含量增加,纳米线的产量降低,10%的含氢量最优。纳米线的直径在50~100nm之间,长度可达几十微米。纳米线的结构是方铁锰矿体心立方单晶结构。纳米线的生长符合VLS模型,铟起到了自催化的作用。
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