作者：李炳乾 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2005年第01期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2005010330 DOC编号：DOCCGQJ2005010339 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计了硅基MEMS粗真空传感器及其工艺流程，分析了MEMS粗真空传感器的工作原理和过程，制作了MEMS粗真空传感器，并对其真空敏感特性和温度交叉敏感特性进行了实验研究。研究结果表明：采用恒压源供电时，制作的MEMS真空传感器灵敏度高达0.55μV/Pa，同时，具有很好的线性度和重复性。

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