作者:彭韶华,黄庆安,秦明,张中平 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2005年第07期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2005070260 DOC编号:DOCBDTX2005070269 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 设计并制备了一个CMOS工艺兼容的温湿度传感器,讨论了感湿理论模型并用COVENTOR软件进行了模拟,给出了具体的结构参数及工艺制作步骤,最后对温湿度传感器进行了测量,对理论值和实际测量值做了比较并给出了分析结果.结果表明,传感器在25℃时的灵敏度为0.015pF/%RH,从15%RH~95%RH,电容实际变化量为1.23pF。

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