作者：席盈 单位：中国科学技术信息研究所 出版：《高技术通讯》1991年第08期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGJSX1991080090 DOC编号：DOCGJSX1991080099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 英国爱丁堡大学电气工程系G.Wang等人研制成单片CMOS(互补金属氧化物半导体)

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