作者：盛良,张震,张检民,左浩毅 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》2016年第06期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ2016060070 DOC编号：DOCHWYJ2016060079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为了研究激光对CMOS图像传感器的干扰效果，利用632.8 nm连续激光开展了对CMOS相机的饱和干扰实验。随着入射激光功率的增加，分别观察到未饱和、饱和、全屏饱和等现象，并发现，在全屏饱和前，功率密度达到1.4 W/cm~2后，光斑强区中心区域出现了像素翻转效应。进一步加大光敏面激光功率密度到95.1 W/cm2，激光作用停止后相机仍能正常成像，证明像素翻转效应并非源自硬损伤。基于CMOS相机芯片的结构和数据采集处理过程进行了机理分析，认为强光辐照产生的过量光生载流子使得光电二极管电容上原来充满的电荷被快速释放，使得相关双采样中的两次采样所得信号V_(reset)与V_(signal)逐渐接近，是输出像素翻转的一种可能原因。

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