作者：滕林,杨邦朝,杜晓松 单位：中国电子学会 出版：《电子测量与仪器学报》2005年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZIY2005040160 DOC编号：DOCDZIY2005040169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用薄膜工艺制备适合高压力测量的阵列式传感器，文中介绍了该传感器的制造工艺、工作原理。动态加载实验表明，传感器阵列的压阻一致性好，无高压旁路效应，响应时间低于30ns，验证了薄膜锰铜传感器高压测试的准确性和可靠性。

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