《新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计》PDF+DOC
作者:王蕊,黄钊洪,李敏毅
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》2005年第07期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ2005070200
DOC编号:DOCCGQJ2005070209
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介绍了一种用InSbIn共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器。它由两对对称轴方向互相垂直的InSbIn磁敏元件构成,可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面,并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理,应用中可提高检测信号的准确性。经实测,在机械振动的中低频率检测范围内,传感器的有效频带不窄于4~760Hz,其通频带内信噪比为30~32dB,经换算得灵敏度为16mV/gn。同时,得到传感器振动强度大小与磁敏电阻器输出信号关系曲线。
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