作者：夏平宇,干宁,葛从辛 单位：上海材料研究所 出版：《》 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFLHJH2006080020 DOC编号：DOCLHJH2006080029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 采用自组装方法制备了卡托普利(CPT)修饰电化学传感器，并对其在金电极表面形成的单分子膜进行了表征。循环伏安试验结果表明，辅酶Q在CPT修饰电极上能发生准可逆的电化学反应。该传感器对辅酶Q测定具有良好的响应，测定范围为5.0&#215；10-6~6.0&#215；10-5mol.L-1，检出限为2.0&#215；10-6mol.L-1，异相电子传递速率常数ks为5.4&#215；10-3cm.s-1。对CPT修饰膜的稳定性进行考察，讨论辅酶Q发生电化学反应的异相电子传递速率常数ks及其影响机制。

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