作者：王磊,杜军,毛昌辉,杨志民,熊玉华 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2006年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2006052030 DOC编号：DOCCGJS2006052039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用磁控溅射技术制备Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜.研究退火处理对薄膜微观结构和表面形貌的影响，进而测试了相关的气敏性能.实验证明，经过氧化性退火处理，集成薄膜中的SiO2层厚度从3nm增长到50nm左右，形成Pd/SnO2/SiO2/Si结构，SnO2薄膜形成金红石结构的多孔柱状晶.气敏测试表明，Pd/SnO2/SiO2/Si集成薄膜在低温区对H2、CH4、CO和C2H5OH敏感性较高，另外，随着H2气体浓度的增加，相应灵敏度从35递增至73.5。

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