作者:刘鹏,李伟,叶双莉,任天令,刘理天 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ2007Z10680 DOC编号:DOCBDTQ2007Z10689 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《用于集成磁传感器的热稳定巨磁电阻自旋阀》PDF+DOC2003年第S2期 曲炳郡,任天令,刘华瑞,刘理天,库万军,李志坚 《基于自旋阀的GMR线性传感器的制作》PDF+DOC2006年第05期 李伟,刘华瑞,刘鹏,任天令,刘理天 《低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究》PDF+DOC2006年第05期 刘鹏,李伟,刘华瑞,叶双莉,任天令,刘理天 《基于GMR传感器的无损探测系统的设计》PDF+DOC2014年第12期 刘建文,钱正洪,白茹,朱礼尧 《基于GMR传感器三磁道磁卡读卡器设计》PDF+DOC2015年第07期 刘雯,钱正洪,白茹,孙宇澄,李健平 《GMR自旋阀生物传感器平面结构及钝化层设计》PDF+DOC2010年第05期 赵复龙,曲炳郡,任天令,刘理天 《巨磁电阻传感器》PDF+DOC2000年第05期 颜冲,于军,周文利,王耘波,谢基凡,高俊雄 《东方微磁:高技术壁垒磁传感器》PDF+DOC 刘岩 《巨磁电阻传感器的研究》PDF+DOC2010年第03期 黄开连,李衡,莫海云,梁济仁 《基于GMR效应的新型生物传感器研究》PDF+DOC2007年第Z1期 张超奇,周非,曲炳郡,任天令,刘理天
  • 在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。

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