作者:徐玮鹤,林友玲,车录锋,李玉芳,熊斌,王跃林 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》2008年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS2008020120 DOC编号:DOCCGJS2008020129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅三层键合电容式加速度传感器。采用硅各向异性腐蚀和深反应离子刻蚀技术实现中间梁-质量块结构的制作,通过玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合。在完成整体结构圆片级真空封装的同时通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线。传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.26mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.42mm。对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器灵敏度约4.15pF/g,品质因子为56,谐振频率为774Hz。

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