《GaAs基PHEMT加速度传感器的研究》PDF+DOC
作者:贾晓娟,张斌珍,刘俊,薛晨阳,侯婷婷,谭振新,王杰
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》2010年第02期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS2010020100
DOC编号:DOCCGJS2010020109
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PHEMT结构一种高电子迁移率晶体管,以其高频和低噪声等方面的优越性,成为当今微电子领域中最活跃的研究主题之一。将其良好的力敏特性应用在加速度计方面更是成为前沿的研究方向。基于GaAs基PHEMT结构压阻效应,设计加工出一种悬臂梁式微加速度传感器,通过力作用在加速度计上,改变PHEMT结构漏极电流的输出,并通过外围测试电路来检测该电流变化,从而实现力电转换。文中,对其基本原理和结构设计进行阐述,并进行力学特性的研究。结果表明,在动态测试下,PHEMT结构的漏极输出电流与栅压、漏压之间的关系与静态测试I-V特性曲线保持一致。该加速度计具有良好的线性特性,经过测试在饱和区灵敏度为0.177 mV/gn。
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