作者：王立锦,张辉,滕蛟,朱逢吾 单位：中国金属学会 出版：《金属学报》2006年第09期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJSXB2006090160 DOC编号：DOCJSXB2006090169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 用直流磁控溅射方法制备了Ta(x nm)/Ni_(65)Co_(35)(40 nm)双层薄膜(x=0，1，2，3，4，5 nm)，研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni_(65)Co_(35)(40 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)和矫顽力的影响；通过X射线衍射(XRD)对Ni_(65)Co_(35)薄膜的微结构进行了分析．结果表明，适当的Ta种子层的厚度和较高的溅射速率有利于Ni_(65)Co_(35)薄膜(111)织构形成，并能显著提高Ni_(65)Co_(35)膜薄的AMR值和磁传感元件的灵敏度．

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