作者：颜健毅,黄钊洪 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2006年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2006020050 DOC编号：DOCCGSJ2006020059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文设计了一种检测方法，它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场，同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量。利用这个装置，可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度。本文检测并讨论了磁阻式Insb-In磁阻元件在一定的磁偏置的条件下，外加磁感应强度B与磁阻元件的电阻值的变化率间的关系，从而提出了一种精确、便捷的薄膜型InSb-In磁阻元件的测量方法。

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