作者：朱芳 单位：南昌市信息中心 出版：《科技经济市场》2006年第04期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFKJJC2006040290 DOC编号：DOCKJJC2006040299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文提出了一种用于CMOS传感器的新型半导体光电器件。由于引入PN注入结，沟道电流同时存在电子电流和空穴电流，因此提高了器件的响应灵敏度，避免了大的寄生电容，提高了信噪比。本文详细的分析了其工作原理和光电特性。

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