作者:刘振丰,冯全源 单位:西南交通大学 出版:《西南交通大学学报》2006年第03期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFXNJT2006030080 DOC编号:DOCXNJT2006030089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 利用晶体管PN结的导通电压随温度升高而降低,而其变化值随温度的升高而增加的特性,设计了集成于电源管理芯片内部的温度传感器,实现了过热保护,并通过反馈延迟重新接通电源,避免了在过热温度点的热振荡.采用0.6μm B iCMOS工艺参数,对电路进行模拟仿真.结果表明,该电路的功耗低(静态电流约0.5μA);在电源电压为2.5~5.0 V,关断温度设置为150℃时,关断温度误差<±1.00℃;重新接通电源的迟滞温度设置为135℃时,实际接通电源时的温度误差<±0.01℃。

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