作者：金海薇,秦利,张兰 单位：中国航天机电集团公司八五一一研究所 出版：《航天电子对抗》2015年第06期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHTDZ2015060170 DOC编号：DOCHTDZ2015060179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 以碳化硅和氮化镓为典型代表的宽禁带半导体材料，与常规半导体硅或砷化镓相比，具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。介绍了宽禁带半导体技术在雷达中的应用及其在美国的发展，阐述了宽禁带半导体技术与雷达技术相结合带来的技术进步，及其对下一代雷达技术的影响。

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