作者：韩韬,吉小军,施文康 单位：中国科学院;国家自然科学基金委员会 出版：《中国科学:技术科学》2006年第02期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJEXK2006020060 DOC编号：DOCJEXK2006020069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《硅酸镓镧晶体声表面波压力敏感特性研究》PDF+DOC2005年第07期 吉小军,施文康,韩韬,张国伟 《高灵敏度硅酸镓镧声表面波压力传感器研究》PDF+DOC2016年第04期 陈高丁,李红浪,柯亚兵,朱波,陈淑芬,何世堂 《文摘选辑》PDF+DOC1982年第04期 《无源无线声表面波压力传感器校准技术研究》PDF+DOC2019年第04期 白天,闫磊,孙凤举,冯辉,王小三,程利娜,李红浪 《Motorola　X－ducer型压力传感器的温度补偿技术》PDF+DOC1996年第05期 刘刚,刘文玲 《多晶硅压阻压力传感器的研制》PDF+DOC1992年第02期 陈怀溥,曹子祥,王思杰,金增林,罗新宝 《文摘选辑》PDF+DOC1992年第04期 《Cy型集成式压力传感器及其在医学工程上的应用》PDF+DOC 蒋继申,秦亮甫,厉锦华,王月华,盛玲玲 《高温压力传感器的力敏电阻条的制备》PDF+DOC2009年第04期 何建建,孙以材,潘国峰 《复合压力传感器研制》PDF+DOC2007年第Z1期 杨勇,金琦,李长春,郭丽娟

    • 硅酸镓镧晶体良好的温度特性、相对大机电耦合系数以及高温稳定性等特点，使得利用其制作高温压力传感器具有独特的优势.为了研究SAW谐振频率与外界压力扰动的关系，在相对于参考状态的LAGRANGE坐标描述下，结合叠加偏载的电弹方程和一阶微扰方程，将偏载和扰动引起的机械弹性扰动和压电项同时考虑在内，得到了适用于强压电性基片，常温或高温情况下的通用声表面波压力敏感模型.提出了研究声表面波压力传感器敏感基片优化选择的基本准则和需要综合考虑的性能指标(高机电系数和低温度延迟系数).全面分析了三旋硅酸镓镧压电晶体上分别适用于常温和高温条件下的声表面波压力传感器使用的优化切向.其中，适合常温SAW压力传感器使用的优化基片切向：?1：Φ=0&#176；~0.6&#176；，Θ=144.4&#176；~145.8&#176；，Ψ=23.2&#176；~24.1&#176；；?2：Φ=59.4&#176；~61&#176；，Θ=34.2&#176；~36.2&#176；，Ψ=24.1&#176；~22.3&#176；；?3：Φ=119&#176；~120&#176；，Θ=143.8&#176；~145.5&#176；，Ψ=22.3&#176；~23.5&#176；.适合高温SAW压力传感器应用的基片优化切向：Ⅰ：Φ=8&#176；~30&#176；，Θ=24&#176；~36&#176；，Ψ=4.....。

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