作者：郭琳瑞,叶雄英,周兆英,梁吉 单位：清华大学 出版：《清华大学学报(自然科学版)》2006年第11期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFQHXB2006110200 DOC编号：DOCQHXB2006110209 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研究了定向生长的多壁碳纳米管薄膜场致发射的距离敏感特性，以改进现有场发射传感器中硅及金属针尖的性能。化学气相沉积方法制备的多壁碳纳米管薄膜表现出良好的尖端放电特性，其开启电场可至1.42 V/μm，阈值电场可至2.22 V/μm，通过计算得到的尖端电场增强因子可至4 034以上。随着发射间距的增加，场致发射电流非线性地降低，发射电流对发射间距的最大变化率为0.018 8μA/μm。通过拟合分析发现，场致发射电流随发射间距的变化基本符合Fow ler-N ordhe im关系，该特性可作为碳纳米管场致发射传感器的基本原理用于位移的检测。

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