作者：徐江涛,姚素英,李斌桥,史再峰,高静 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》2006年第09期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX2006090050 DOC编号：DOCBDTX2006090059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 设计了一个三管有源像素和其用开关电容放大器实现的双采样读出电路.该电路被嵌入一64&#215；64像素阵列CMOS图像传感器，在Chartered公司0.35μm工艺线上成功流片.在8μm&#215；8μm像素尺寸下实现了57%的填充因子.测得可见光响应灵敏度为0.8V/(lux.s)，动态范围为50dB.理论分析和实验结果表明随着工艺尺寸缩小，像素尺寸减小会使光响应灵敏度降低.在深亚微米工艺条件下，较深的n阱/p衬底结光电二极管可以提供合理的填充因子和光响应灵敏度。

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