作者：刘宇,王国裕 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》2006年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX2006020210 DOC编号：DOCBDTX2006020219 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 介绍了基于0.35μm工艺设计的单片CMOS图像传感器芯片.该芯片采用有源像素结构，像素单元填充因数可达到43%，高于通常APS结构像素单元30%的指标.此外还设计了一种数字动态双采样技术，相对于传统的双采样技术(固定模式噪声约为0.5%)，数字动态双采样技术具有更简洁的电路结构和更好抑制FPN噪声的效果.传感器芯片通过MPW计划采用Chartered0.35μm数模混合工艺实现.实验结果表明芯片工作良好，图像固定模式噪声约为0.17%。

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