作者：吕凤军,斯永敏,傅国如 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2006年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2006020180 DOC编号：DOCGNCQ2006020189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以TbDyFe-FeN i多层膜/光纤复合结构为研究对象，采用ANSYS软件对多层膜厚度及外加磁场对光纤中传输光波的磁致相位位移大小的影响规律进行了研究。ANSYS计算结果发现，磁致相位位移大小随着薄膜厚度增加而增大；由于TbDyFe-FeN i多层膜的磁致伸缩性能，磁致相位位移值随磁场强度变化关系出现良好的线性关系。搭建M-Z干涉仪，实验论证TbDyFe-FeN i多层膜/光纤复合结构的磁探测性能，进一步证实了ANSYS模拟计算结果。

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