作者：王冬,秦亚飞,袁锐波,杨友朋 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2020年第05期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2020050140 DOC编号：DOCBDTG2020050149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以石墨烯作为压力传感器敏感材料，Si为基底材料，氮化硼(PN)为石墨烯保护材料，惠斯通测量电桥作为力电变换测量电路，构建了硅基石墨烯压力传感器。通过鼓泡实验法建立传感器的理论模型，分析了传感器的压力与中心形变位移之间的关系，并结合ANSYS软件静力学非线性分析单元，针对所述石墨烯薄膜的挠度形变特性进行了数值解析与有限元仿真。结果表明，石墨烯薄膜压力与挠度形变的理论分析与仿真结果相吻合，这为石墨烯压力传感器提供了结构设计与理论模型基础。

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