作者: 单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版:《压电与声光》1979年第06期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYDSG1979060120 DOC编号:DOCYDSG1979060129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • (一)晶体和薄膜材料239 杂质对锗酸锂压电性的影响——(D.S.Robertson)《I.Phys.D》1979 124611-7用提拉法生长了Li_2GeO_3单晶,有的掺入少量Si和Mg,测量了—40—100℃间的弹性、压电和介电矢量,当熔体中SiO_2 2%及MgO>1%时晶体质量显著下降,讨论了这种晶体在声表面波方面的应用。

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