作者: 单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版:《压电与声光》1982年第04期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYDSG1982040170 DOC编号:DOCYDSG1982040179 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • (一) 声表面波技术 157 GaAs上的新型掠面体波(SSBW)——(Henaff J.)《Electron. Lett.》17 12(1981) 427—9 介绍一种在<110>切GaAs基片上(110)面传播的新型SAW模式。尽管这一分支仍不甚完善,但它提供良好的机电耦合系数(0.1%)和相当高的波速(3240m/s),这些结果与理论上计算的数据相符合。

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