作者:黄焕琼,晏光华 单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版:《压电与声光》1981年第03期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYDSG1981030100 DOC编号:DOCYDSG1981030109 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文叙述了用ZnO压电薄膜制作温度稳定的表面波延迟线的实验工作结果,c-轴取向的ZnO膜用射频溅射方法制造,ZnO薄膜淀积在各种非压电基片上,可用于发生和检测中心频率约为100兆赫的声表面波.文中研究了薄膜结构和薄膜厚度与机电耦合系数的关系.详细研究了基片材料对延迟的温度系数的影响,获得了延迟温度系数为-5.4×10~(-6)/℃的结果。

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