作者：Norio Soitou,赵中慧 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》1978年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ1978010070 DOC编号：DOCBDTQ1978010079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 采用微细的电子束通过化学腐蚀工艺而不是剥离工艺制得了亚微米线宽的铬掩模。在计算机控制的扫描电镜(SEM)中进行电子束曝光。用旋转涂敷法在铬版上涂上聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)抗蚀剂，电子辐照之后，样品用适当的工艺进行显影，对铬版曝光区域进行化学腐蚀。在曝光中，电子束的能量、电流和直径分别为15千电子伏、0.1毫微安和小于0.1微米、无需后烘工序。利用这些技术制得了表面波换能器和集成电路的铬掩模。

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