作者：冯锡琪 单位：国家仪表功能材料工程技术研究中心;重庆仪表材料研究所;中国仪器仪表学会仪表材料学会 出版：《功能材料》1984年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCL1984020020 DOC编号：DOCGNCL1984020029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 绪言碳化硅(以下简称SiC)半导体是在五十年代后期作为一种耐高温的半导体材料发展起来的。但由于受六十年代初世界性经济衰退的影响，一些与SiC耐高温特点有密切关系的远期发展项目的削减，使SiC的研究工作蒙受影响；而且SiC半导体材料和器件工艺的难度远远超过Ge、Si乃致GaAs。因此，在经过1973年的第三届SiC半导体国际会议以后，国际上对于SiC半导体的研究工作渐趋冷落。虽然如此，这方面的研究工作却从未中断过。近年来，对SiC基本性能参数有了更清楚的了解。它的最大反向击穿电场几乎是硅的十倍，饱和载流子漂移速度可达1.3—2.0&#215；10~7cm/s，而热导率约为硅的三倍，砷化镓的十倍，再加上SiC固有的稳定和耐高温的优点，看来它在高频大功率器件方面颇有潜力，因而一直有人进行这方面的探

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