作者：杨成珠 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》1982年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG1982020160 DOC编号：DOCBDTG1982020169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 已研制成功摄象机用的光探测器。它是一种具有浅p-n结的光电二极管。在n~+-GaAs衬底上，汽相外延生长的n-GaAs_(1-x)P_x层里形成p-n结。通过控制组分，结深和施主浓度，已能批量生产反向偏置电压2V时，典型暗电流为0.2PA/mm~2，△EV小于0.085的光电二极管。△EV小于0.085的含意是指光电二极管的光谱响应非常接近人眼的光谱响应。此种二极管的可靠性高，其部分原因是由于它勿须红外截止滤波器。

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