《CCD摄象器件(1)—CCD摄象器件的基本概念》PDF+DOC
作者:塚本哲男,程阜民
单位:中国电子科技集团第四十四研究所
出版:《半导体光电》1980年第04期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTG1980040120
DOC编号:DOCBDTG1980040129
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《CCD摄象器件[12]——图象传感器的特性》PDF+DOC1981年第04期 塚本哲男
,孙志君
《高清晰度CCD图象传感器及其发展趋势》PDF+DOC1995年第01期 何兴仁
《512×456位硅CCD面阵摄象传感器》PDF+DOC1991年第04期 过帆,王炳雪
《CCD摄象器件[10]——MOS型单片彩色摄象机》PDF+DOC1981年第04期 塚本哲男
《CCD摄象器件(9)——迭层状单片式彩色摄象机》PDF+DOC1981年第03期 塚本哲男
,屈积建
《CCD成像最新进展和学术挑战》PDF+DOC2007年第30期 胡学友,张林
《CCD成像传感器:更高的灵敏度具有更多的选择》PDF+DOC2000年第03期 K.Wetzel,顾聚兴
《将CMOS和CCD组合在一起的新型敏感器》PDF+DOC1998年第12期 高国龙
《简讯》PDF+DOC1986年第03期
《CCD摄象器件的市场动态和研制现状》PDF+DOC1987年第03期 盛柏桢
电荷耦合器件(CCD)是1970年在MOS工艺基础上发展起来的新型半导体器件。它和戽链器件(BBD)等一起,通常统称为电荷转移器件(CTD)。与以前在热平衡状态下工作的双极和单极半导体器件相反,CCD是一种在非平衡状态下依靠势阱转移电荷信息的、具有独特工作机构的器件;是在硅工艺
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。