作者:塚本哲男,程阜民 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》1980年第04期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG1980040120 DOC编号:DOCBDTG1980040129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 电荷耦合器件(CCD)是1970年在MOS工艺基础上发展起来的新型半导体器件。它和戽链器件(BBD)等一起,通常统称为电荷转移器件(CTD)。与以前在热平衡状态下工作的双极和单极半导体器件相反,CCD是一种在非平衡状态下依靠势阱转移电荷信息的、具有独特工作机构的器件;是在硅工艺

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