作者：郭宝玉 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》1984年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG1984040010 DOC编号：DOCYDSG1984040019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文是关于800MHz相控掠面体振荡器(SSBWDLO)的研制报告，在AT切石英基片上制作了810MHz的频控元件SSBWDL。典型插入损耗18dB。严格控制换能器金属化状态和选取适当的换能器设计是获得高性能频控元件的关键。用分立元件组装线性放大器并与SSBWDL构成振荡器。器件常温下稳定度为10~(-6)/d，短稳为3&#215；10~(-9)/s。

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