《基于新型延迟电路的CMOS片上温度传感器》PDF+DOC
作者:李硕明
单位:东南大学
出版:《电子器件》2016年第04期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZQJ2016040070
DOC编号:DOCDZQJ2016040079
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为在较大温度范围内实现高精度的片上温度检测,提出一种基于新型延迟电路的CMOS时域温度传感器。该传感器以新型延迟电路为基础,利用二极管连接的双极结型晶体管(BJT)生成PWM信号,相较于其它时域温度传感器,仅需要单一偏置电流以及比较器就可生成PWM信号;利用简易的数字计数器可确定占空比,且占空比会被转换成数字值;传感器设计采用了0.18μm CMOS技术。实际测试结果显示,相较于其它类似传感器,提出的传感器在较宽的温度范围内精确度较高;在两个温度点上进行数字校准之后,在0~125℃范围内的精确度为±;0.1℃;电源为1.5 V时,此传感器仅消耗了2.48μA,功耗为3.8μW。
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