作者： 单位：华北光电技术研究所 出版：《激光与红外》1980年第09期 页数：9页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJGHW1980090240 DOC编号：DOCJGHW1980090249 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 用通用电容电桥或锁定技术研究了以Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.2或0.27)为基础的MOS电容器。样品性能的差异视型别和化学配比x而定。例如，与n型样品相反，p型样品在1兆赫以下始终具有低频电容性能。处于带隙的表面态密度高，两个峰值接近带缘。在有些结构上出现了分立的表面态。低温下可能会引起简并累积或n型反型层，其作用有如一双维气体。外加一磁场就可观察到Shubnikovde

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