作者： 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》1982年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG1982030170 DOC编号：DOCYDSG1982030179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • AlN/Si声表面波器件 SAW器件的一个新的发展分支是与半导体相结合的集成化技术。在Si片上溅射ZnO薄膜以激励和传播SAW已进行过大量的工作。AlN也是一种适用于SAW器件的压电薄膜材料，而且它的化学稳定性、机械强度、声速和机电耦合系数可能还优于ZnO膜，这就使得AlN膜有可能用作单片SAW器件以取代ZnO。 AlN膜的生长方法较多，如CVD法、RF溅射等。这些方法都要求基片温度在1000℃以上。在较低温度下在玻璃和兰宝石基片成功地沉积AlN膜，只是在最近才用反应溅射实现的。美国珀杜大学电工系L.G.Pearce等人用有磁控阴极的MRC-8620型RF平面溅射系统沉积了高度取向的AlN膜，并制成了几种新型的AlN/Si SAW器件。

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