作者：翁文生,李惠章,刘金龙,杨银兰,王开全 单位：中材人工晶体研究院 出版：《人工晶体学报》1982年第Z1期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFRGJT1982Z10770 DOC编号：DOCRGJT1982Z10779 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文介绍利用浮称技术生长铌酸锂单晶的方法。一般浮称技术都使用模拟体来等径控制生长单晶，我们采用控制流量来生长铌酸锂单晶，其特点是装置简单，晶体大小易控制。本文测量了自制应变片传感器在不同作用距离下，敏感片位移与应变片阻值的关系。测量了浮称系统的灵敏度和线性度，也就是传感器所受重力与传感器输出毫伏数的关系，以及滴油速度与传感器输出毫伏数的关系。

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