作者: 单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版:《压电与声光》1979年第04期 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYDSG1979040140 DOC编号:DOCYDSG1979040149 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • Ulvac公司已成功地研制成制作化合物的等离子体CVD化学汽相沉积的装置.可以在半导体基片上沉积氮化硅或氧化硅薄膜.等离子体CVD装置用高频感应等离子体气相反应来促进化学反应,从而在半导体基片上形成化合物薄膜.Ulvac公司在New R andD公司资助下在过去三年中一直致力于研制这种装置.通常恒定的CVD和还原的CVD法能有效地形成保护集成电路和大规模集成电路基片

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