《SiP封装传感器中金丝可靠性设计与分析》PDF+DOC
作者:刘建军,郭育华
单位:中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版:《电子与封装》2016年第06期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDYFZ2016060030
DOC编号:DOCDYFZ2016060039
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SiP封装的传感器中,连接MEMS传感器芯片和ASIC芯片的金丝被包裹在软硅胶和硬塑封料中,由于硅胶和塑封料热膨胀系数差异很大,后期的温度循环等环境实验中容易出现金丝断路的风险。针对这一风险进行可靠性设计,并用实验进行验证。结果表明,采用矩形线弧方式并控制硅胶包裹工艺,保证金丝折弯部分处于硅胶包裹内,可以有效缓解热循环产生的应力对键合金丝第二焊点的损伤,使传感器产品可靠性通过欧洲汽车电子标准AEC-Q100中的温度循环测试。
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