作者:蒋廷槐 单位:中国科学院光电技术研究所;中国光学学会 出版:《光电工程》1978年第01期 页数:9页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGDGC1978010060 DOC编号:DOCGDGC1978010069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文评述了用于读出高密度探测器阵列的电荷耦合器件(CCDs)并着重探讨了与焦平面组装的锑化铟、(InSb)碲化汞镉(Hg-Cd-Te)和非本征硅探测器系统的应用。通过一些设计例子说明了采用高密度探测器/CCD结构所具有的新的有实用价值的灵活性。这些例子中包含了典型的扫描和星体传感器概念。探测器沟道数目的增加和先进红外传感器的较高灵敏度往往增加了有关信号处理电子设备的负担。CCD结构的低功率和小尺寸对各种模拟功能和数字处理功能都具有很大的吸引力。所讨论的这些具体例子中,包括模拟匹配滤波器,用于完成多路调制的循环滤波器、线变换器和数字存储器。

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