作者: 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》1983年第03期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG1983030010 DOC编号:DOCBDTG1983030019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 据《Electronics Letters》1983年№7刊报道: 印度科技大学物理系的V.Kumar等提出了一种不需要Arrhenius图而直接测量激活能的新方法。从而避免了因传感器和样品之间的温差以及对样品温度的测量误差等引起的测量误差。并且降低了数据收集时间。大大简化了对深能级的研究工作。该方法是反复地给维持静态反相偏置的样品提供脉冲,使之达到零偏置。使用box

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