作者：饶夫基 单位：华北计算机系统工程研究所 出版：《》 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZJY1983120120 DOC编号：DOCDZJY1983120129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 关于扩散型应变片的基本特性有：①压力灵敏度和非线性。压力灵敏度不仅取决于膜片晶面和配置电阻的晶向，而且与扩散电阻层的杂质浓度和破坏应力有关，设N-Si 基片杂质浓度为10~(-15)/cm~3，破坏应力为(4～5)&#215；10~9达因/cm~2，配置p 型电阻浓度为7&#215；10~(18)/cm~8，则对(100)晶面基片破坏时压力灵敏度为15%，对(111)晶面基片为10%。另一方面，膜片受压时产生非线性，当膜片中心挠度大于膜片厚度

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