作者： 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》1982年第04期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG1982040230 DOC编号：DOCBDTG1982040239 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 日本三菱电气公司中心研究所研制出一种高灵敏度固体摄像器件。该器件采用了ZnSe-Zn_(1-x)Cd_xTe异质结薄膜光导层。以具有大电荷处理能力(约90&#215；10~5电子/象素)和简单的栅结构的BBD移位寄存器作摄像区的垂直扫描器。水平扫描电路则采用隐埋CCD移位奇存器。器件象素为506(V)&#215；413(H)。水平象素中的有效象素为384，余下的29象素为光学黑。单元尺寸为36(V)&#215；32(H)μm~2，异质结上的金属电极尺寸为32(V)&#215；18(H)μm~2，即单元面积的73%为有效光学传感器，比没有光导体时的Sipn光电二极管大3倍。摄像区面积约10.4(V)&#215；13.5(H)mm~2，相当于1时的光导摄像管。芯片

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