作者：李健明 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1984年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1984020030 DOC编号：DOCCGQJ1984020039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《电子分析天平温漂与时漂的自动补偿》PDF+DOC2000年第03期 滕召胜,郁文贤,夏胜平 《传感器实时自校准/自补偿的实现》PDF+DOC1999年第04期 赵敏,陈小平,王铮,余瑞芬 《离子敏PH传感器的研究》PDF+DOC1995年第01期 唐国洪,陈德英 《ISFET库仑滴定系统与集成库仑滴定传感器的研究》PDF+DOC1994年第02期 虞惇,陈伟平,王东红,姚建庭,王贵华 《采用SOI衬底的pH传感器》PDF+DOC1992年第03期 陈德英,唐国洪,花秀銮 《硅压力传感器的应力隔离封装》PDF+DOC1987年第Z1期 李东研,Per.A.Ohlckers,C.D.Fung,W.H.Ko 《提高硅压阻传感器精度的探讨》PDF+DOC1987年第02期 刘存 ,孙立华 《静电封接技术在硅压阻传感器中的应用》PDF+DOC1986年第01期 乔景庄 《静电封装技术在硅真空膜盒上的应用》PDF+DOC1985年第10期 计志林 《扩散硅压阻传感器及其工艺技术的研究》PDF+DOC1980年第01期 车军

    • 前言 近十年来，国内半导体压阻传感器的研制和生产获得迅速发展，这是由于它具有灵敏度高，频率响应快，体积小，性能稳定、可靠，寿命长等特点，使之在国民经济各个领域获得广泛应用。每一次压阻传感器性能的较大提高都是和采用先进的新技术、新工艺分不开的。在过去和将来的一段时间内，封装技术落后仍然是阻碍压阻传感器性能提高的重要因素之一。静

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