作者：武兵书,吴兵,苏世漳 单位：北京科技大学 出版：《工程科学学报》1983年第04期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBJKD1983040080 DOC编号：DOCBJKD1983040089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 回线误差是影响磁弹效应力传感器综合精度的一项重要误差。为了探索这类误差产生的原因，本文设计了3％Si—Fe冷轧Goss织构电工铜片单晶体拉应力试样。实验结果表明，随着样品工作区中单晶体的[100]方向与应力σ之间的夹角θ的变化，样品的回线误差不但有数值大小的变化，而且回线误差的类型也不同。一种是，当减载时，传感器的输出电压值高于加载到同一载荷时传感器的输出电压值，另一种则与此相反。本文分析了这类材料的传感器在工作状态下，单晶体内磁铸分布的变化过程，认为回线误差大小及类型随θ角的变化，是单晶体内晶体缺陷与铸壁相互作用的结果。

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